Дослідники з Массачусетського технологічного інституту (MIT) розробили новий ультратонкий матеріал для оптимального зберігання пам’яті.
З моменту відкриття ультратонкого матеріалу — графену — вчені активно почали вивчати властивості аналогічних структур. Раніше дослідники з лабораторії Массачусетського технологічного інституту з’ясували, що якщо укласти окремі листи 2D-матеріала і скрутити їх під невеликим кутом один до одного, то можна отримати нові незвичайні властивості — від надпровідності до магнетизму.
У новій роботі дослідники з тієї ж лабораторії провели подібний експеримент з нітридом бору, його ще називають білим графеном – така назва закріпилася частково тому, що цей матеріал має атомну структуру, схожу на графен.
Автори нової роботи з’ясували, що якщо два окремих листів нітриду бору укласти паралельно один одному, то матеріал стає сегнетоелектричним — позитивні та негативні заряди в ньому мимовільно направляються в різні боки або полюса. Якщо прикласти зовнішнє електричне поле, то ці заряди перемикаються на іншу сторону і змінюють поляризацію. Автори відзначають, що все це відбувається при кімнатній температурі.
Новий матеріал потенційно має безліч застосувань. Якщо можна використовувати для щільного зберігання пам’яті та вся інформація буде стабільна навіть через час. Також новий матеріал має товщину в кілька нанометрів – це один з найтонших сегнетоелектриків.
Натхнення: hightech.fm