Тайванська компанія з виробництва напівпровідників (TSMC) та Тайванський науково-дослідний інститут промислових технологій (ITRI) досягли технологічної віхи, розробивши мікросхему магнітної пам’яті з довільним доступом (SOT-MRAM) на основі спін-орбітальної магнітної пам’яті (SOT-MRAM). Ця інновація являє собою стрибок уперед у технології енергонезалежної пам’яті, оскільки має напрочуд низьке енергоспоживання – лише 1% від споживання традиційної пам’яті на основі спін-обертального моменту (STT) – у поєднанні з винятково низькою затримкою.
Порівняння SOT-MRAM з сучасними технологіями пам’яті
SOT-MRAM виділяється серед енергонезалежної пам’яті завдяки своїй винятковій енергоефективності та швидкості, що позиціонує її як потенційну зміну правил гри в комп’ютерній індустрії. На відміну від SRAM, яка зазвичай використовується в кешах і внутрішній пам’яті, SOT-MRAM має вищу щільність і не споживає енергії в режимі очікування, що робить її особливо придатною для центрів обробки даних і пристроїв, що працюють від батареї. Крім того, вона демонструє затримки на рівні з DRAM і перевершує 3D NAND Flash за швидкістю, що робить її привабливим вибором для безлічі застосувань.
Потенційні застосування та майбутнє SOT-MRAM
Д-р Ших-Чі Чанг (Shih-Chieh Chang), генеральний директор Дослідницької лабораторії електронних та оптоелектронних систем ITRI, підкреслює подвійну перевагу нової мікросхеми SOT-MRAM: мінімальне енергоспоживання та високу продуктивність, що досягає швидкості роботи 10 нс. Інтеграція цієї пам’яті з обчислювальними схемами може ще більше підвищити загальну обчислювальну продуктивність. У перспективі ця технологія має величезні перспективи для високопродуктивних обчислень (HPC), штучного інтелекту (AI), автомобільних чіпів та інших передових технологічних галузей.