У лабораторії фізики плазми в Принстоні триває розробка нового покоління мікрочипів, які обіцяють бути компактнішими, тоншими та більш продуктивними, ніж сучасні. Група дослідників вивчає можливість використання дихалькогенідів перехідних металів для заміни традиційного кремнію у виробництві мікропроцесорів. Вони передбачають, що перші транзистори на основі цих матеріалів з’являться до 2030 року.
“Чипи стають дедалі меншими, їхній запас розміру і функціональності майже вичерпано”, — зазначив Шоахіб Халід, лідер дослідницької групи. Відповідно до Закону Мура, щорічне подвоєння кількості транзисторів у напівпровідниках сповільнюється, і період подвоєння на кристалі збільшується до трьох років, повідомляє Tom’s Hardware.
Халід та його колеги розглядають дихалькогеніди перехідних металів як альтернативу сучасній тривимірній структурі мікрочипів. Ці одношарові напівпровідники можуть мати товщину лише трьох атомів, з двома шарами атомів халькогену по краях та шаром перехідного металу посередині. Навіть мінімальні варіації, як-от відсутність одного атома, можуть істотно впливати на характеристики матеріалу. Такі варіації, хоч і називаються дефектами, можуть приносити нові властивості, змінюючи тип матеріалу з n-типу на p-тип.
До переваг дихалькогенідів належать здатність налаштувати енергетичний бар’єр шляхом зміни кількості шарів, можливість використовувати різні матеріали для їх створення, а також гнучкість і міцність матеріалів. За словами Шоахіба, до 2030 року очікується впровадження ДПМ у транзисторні технології, з такими гігантами галузі, як Intel, які вже активно працюють у цьому напрямку.