Дослідники розробили експериментальну систему зберігання даних на основі сегнетоелектричних та антисегнетоелектричних польових транзисторів. Нова система вимагає мінімального енергоспоживання.
Інженери з Токійського університету виготовили тривимірні польові транзистори вертикальної форми для створення пристроїв зберігання даних. Нова система, за словами розробників, відрізняється високою щільністю зберігання даних і низьким енергоспоживанням.
Експериментальна тривимірна багатошарова комірка пам’яті створена на основі вертикальних польових транзисторів з оксидно-напівпровідниковим каналом. Всередині каналу дослідники нанесли шари оксиду гафнію (сегнетоелектрик) та оксиду індію (антисегнетоелектрик).
Створений пристрій використовує сегнетоелектрику (спонтанну поляризацію в кристалах) для зберігання даних. Інформація зберігається за ступенем поляризації в сегнетоелектричному шарі, які можуть бути лічені системою через зміни електричного опору. Розробники пояснюють, що у сегнетоелектриків є електричні диполі, які найбільш стабільні, коли вирівняні в одному напрямку. Оксид гафнію забезпечує спонтанне вирівнювання диполів.
Дослідники кажуть, що, використовуючи антисегнетоелектрик замість сегнетоелектрика, вони виявили, що для стирання потрібен лише крихітний сумарний заряд, що підвищує ефективність запису даних.
Автори роботи, представленої на конференції Інституту інженерів електротехніки та електроніки, повідомляють, що створений експериментальний пристрій стабільно працює протягом як мінімум 1000 циклів запису.
Вчені вважають, що комбінація таких експериментальних модулів допоможе створити системи зберігання даних з низьким енергоспоживанням для побутової електроніки Інтернету речей.