Вчені з Університету Райса в штаті Техас (США) представили технологію виробництва RRAM – резистивної пам’яті з довільним доступом, яка дозволить збільшити обсяг доступної “оперативки” в смартфонах і планшетниках в десятки і навіть сотні разів. Мова йде про один з різновидів RRAM, у якої вища щільність і нижчий рівень енергоспоживання, ніж у “звичайної” пам’яті. Додатково до цього, вона більш компактна.
Випуском модулів RRAM-пам’яті займаються всього кілька компаній. Процес виробництва таких мікросхем дорогий і досить складний, він потребує високих температур і напруги для перемикання в провідний стан.
Дослідники з Райса запропонували інший підхід, що дозволяє створювати осередки RRAM-пам’яті при кімнатній температурі і набагато більш низькій напрузі. Він полягає у використанні пористого оксиду кремнію в якості основного діелектричного матеріалу.
Читайте також: Перший «вічний» смартфон
В основі технології – пористий оксид цинку з напиленням золота і платини. Модулі пам’яті з цього матеріалу можуть зберігати в сотні разів більше інформації, їх життєвий цикл у сто разів довший, і вони витримують нагрівання до високих температур, не втрачаючи збережені дані.
Створені за таким принципом осередку більш надійні, не вимагають витрати енергії для зберігання інформації, можуть зберігати до дев’яти бітів даних на клітинку і забезпечують більш високу швидкість запису/читання даних (до ста разів швидше, ніж флеш-пам’ять). Що найважливіше, нова технологія полегшує “укладання” шарів RRAM-пам’яті, що дозволяє збільшити об’єм збереженої інформації. У одного з прототипів щільність зберігання даних настільки висока, що на мікросхемі розміром з поштову марку може бути уміщено терабайт пам’яті.